第三代半導(dǎo)體產(chǎn)研院成立
摘要：原標(biāo)題：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)研院成立本報南京10月19日電 （記者王偉健）如何讓半導(dǎo)體器件更小、耐受更高電壓、具備更低導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度？以氮化鎵（GaN）為主的第三代
本報南京10月19日電 （記者王偉?。┤绾巫尠雽?dǎo)體器件更小、耐受更高電壓、具備更低導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度？以氮化鎵（GaN）為主的第三代半導(dǎo)體將成為發(fā)展方向。日前，江蘇華功第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院成立，致力于第三代半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。
硅半導(dǎo)體材料和器件在材料質(zhì)量、器件設(shè)計、工藝優(yōu)化等環(huán)節(jié)已經(jīng)十分成熟，硅材料已經(jīng)越來越逼近它的物理極限。中科院院士、江蘇華功第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院院長甘子釗教授介紹，與硅功率電子器件相比，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵具備更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度等優(yōu)勢，可使電源系統(tǒng)工作頻率更高、損耗更低、尺寸更小，具備廣闊的產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應(yīng)用前景。
《 人民日報 》（ 2016年10月20日 11 版）
(責(zé)編：賀迎春、熊旭)
責(zé)任編輯：fl
(原標(biāo)題：人民網(wǎng)-人民日報)
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